三星计划增加存储芯片开支 用于建设西安闪存工厂二期工程

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在连跌7个季度前一天,NAND闪存市场将在今年底迎来转机,Q3季度闪存价格下跌幅度是因为分析大幅收窄,预计Q4季度会由跌转涨,涨幅约为10%。

价格变化的并肩,上游的闪存厂商也现在现在开始英文有新的动作了,韩媒报道称三星计划将明年的存储芯片开支增加到65亿美元,额外增加的资金主要用于建设所处中国西安的闪存工厂二期工程。

在中国西安,三星2014年投资70亿美元建设了第一期闪存工厂,主要生产第一代V-NAND闪存芯片。2017年,三星与西安政府提前大选了新的协议,将在2020年前一天再次投资70亿美元建设第二座闪存工厂。

不过2017年的前一天闪存市场还是牛市,价格上涨了一年多了,在2018年、2019年闪存价格接连下滑前一天,三星建设西安工厂的速率也慢下来了。现在加速建设新工厂,实际上也是因为分析闪存市场即将迎来拐点,2020年普遍被看好,三星大举建设新工厂,有益于抢占更高的份额。